Транзистор (от англ. transfеr — переносить и резистор), полупроводниковый прибор для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.

Выполненный на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно Si или Ge), содержащего не менее трех областей с различной — электронной ( n) и дырочной ( p) — проводимостью.

По физической структуре и механизму управления током различают транзисторы биполярные (чаще называют просто транзисторами) и униполярные (чаще называют полевыми транзисторами). В первых, содержащих два или более электронно-дырочных перехода, носителями заряда служат как электроны, так и дырки, во вторых — либо электроны, либо дырки. Термин «транзистор» нередко используют для обозначения портативных радиовещательных приемников на полупроводниковых приборах.

Классификация

Основная классификация транзисторов ведется по исходному материалу, на основе корого они сделаны, максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе, и частотными свойствами. Эти параметры определят их основные области применения.По мощности транзисторы делят на транзисторы малой, средней и большой мощности, а по частоте-низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и сверхчастотные.По исходному полупроводниковому материалу -германиевые и кремнивые.

Основные электрические параметры

Свойства транзисторов выражаются его статическими вольт-амперными характеристиками.В справочниках наиболее часто приводятся входные Iб=f(Uбэ) при Uкэ=const и выходные характеристики Iк=f(U) при Iб=const, при различных схемах включения.Существует 3 схемы включения биполярных транзисторов: с оющей базой (ОБ), с общим эмитером (ОЭ) и с общим коллектором (ОК).

Основными параметрами биполярных транзисторов являются следующие:

КОЭФИЦИЕНТ ПЕРЕДАЧИ ТОКА (h21Э)-коэфициент передачи тока(фактически усиление транзистора) в режиме малого сигнала в схеме с общим эмитером;

Pк max-максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;

Iк max-максимально допустимый постоянный ток коллектора;

Iкбо-обратный ток коллектора;

Uкбо-постоянное напряжение коллектор база при разомкнутом выводе базы;

Iкэо-обратный ток коллектор-эмитер при разомкнутом выводе базы;

fгр-граничная частота коэффициента передачи тока;

Kш-коэффициент шума транзистора.

Маркировка

На корпусе транзисторов, наноситя: на первой позиции буква или цифра (Г или 1, К или 2, А или 3 и И ли 4), указывающая материал, из которого он изготовлен, второй элемент -буква, определяющая подкласс (или группу) транзистора (Т-биполярный, П-полевой), после ставятся цифры указывающие на функциональные возможности транзистора, после цифр обычно ставися в виде буквы (или букв) разновидность транзистора.